Моделирование спин-фильтрующих свойств оборванной октаграфеновой наноленты, насыщенной атомами водорода

doi:10.17223/00213411/63/2/110

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Моделирование спин-фильтрующих свойств оборванной октаграфеновой наноленты, насыщенной атомами водорода	968 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.17223/00213411/63/2/110

#вольт-амперные характеристики

#октаграфеновые наноленты

#спин-зависимый транспорт

#спинтроника

#спиновые фильтры

#дифференциальная проводимость

Title: Моделирование спин-фильтрующих свойств оборванной октаграфеновой наноленты, насыщенной атомами водорода
Creator: Сергеев, Даулет Максатович
|
Мясникова, Людмила Николаевна
|
Шункеев, Куанышбек Шункеевич
Date: 2020
DOI: 10.17223/00213411/63/2/110
Description: В рамках теории функционала электронной плотности и метода неравновесных гриновских функций (LSDA+NEGF) определены спектры пропускания, вольт-амперные характеристики (ВАХ), дифференциальная проводимость оборванной октаграфеновой наноленты, полученной путем удаления атомов углерода из цен- тральной части и насыщенной атомами водорода. Показано, что ВАХ рассматриваемых наноструктур имеют участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением, обусловленный резонансным туннелированием квазичастиц. Эти же изменения наблюдаются и на dI/dV-характеристике. Установлено, что в оборванной октаграфеновой наноленте (гексагональные элементы которой соединены трехатомным углеродным мостиком) в интервале энергии –1.65 ÷ –0.5 эВ прохождение квазичастиц со спином вниз блокируется. Такое поведение спектра пропускания позволяет применить их для создания спиновых фильтров по энергии. Обнаружено, что спин-поляризованный ток оборванной октаграфеновой наноленты (части которой соединены между собой пятиугольными элементами и углеродным мостиком) с состоянием спинов вверх-вверх существенно превышает ток структуры с состоянием спинов вверх-вниз. Такой эффект позволяет осуществить селекцию квазичастиц со спином вверх по току в определенном значении приложенного напряжения. Полученные результаты могут быть полезными при расчетах новых приборов спинтроники.

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Rights: Resource access is available in the premises of Research Library
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 2. С. 110-116
Language: rus